F4BM245 DK2.45 Herstellung von PTFE-Glasfaserlaminat 2-Schicht-PCB mit ED-Kupferfolie
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Produkt-Beschreibung
1. Einführung in das Hochfrequenzlaminat F4BME220
F4BME220 ist ein hochwertiges PTFE-Glasfaserlaminat, das von der Taizhou Wangling Insulation Material Factory hergestellt wird. Es wird durch einen wissenschaftlich formulierten Prozess hergestellt, der Glasfasergewebe, Polytetrafluorethylen (PTFE)-Harz und PTFE-Folie unter strengen Fertigungskontrollen kombiniert. Im Vergleich zur früheren Serie "F4B" bietet die Serie F4BME eine deutlich verbesserte elektrische Leistung, einschließlich eines größeren Bereichs von Dielektrizitätskonstanten, geringerer dielektrischer Verluste, höherem Isolationswiderstand und verbesserter Stabilität, was sie zu einem zuverlässigen Ersatz für ähnliche ausländische Produkte macht.Die Serien F4BM und F4BME verwenden die gleiche dielektrische Schicht, unterscheiden sich jedoch in der Auswahl der Kupferfolie:Variante
Kupferfolientyp
| Schlüsselmerkmale | F4BM | ED (galvanisch abgeschieden) Kupfer |
| Geeignet für Anwendungen ohne PIM-Anforderungen; kostengünstig | F4BME | Reverse-Treated Foil (RTF) Kupfer |
| Hervorragende PIM-Leistung (≤ -159 dBc); präzisere Leitungssteuerung; geringere Leitungsverluste | Durch präzise Anpassung des Verhältnisses zwischen PTFE-Harz und Glasfasergewebe erreicht Wangling eine genaue Kontrolle der Dielektrizitätskonstante über einen Bereich von "2,17 bis 3,0", wobei kundenspezifische Anpassungen möglich sind. Höhere Dk-Werte entsprechen einem höheren Glasfaseranteil, was zu einer verbesserten Dimensionsstabilität, einem niedrigeren CTE, einer besseren Leistung bei Temperaturdrift und einem leichten Anstieg des dielektrischen Verlusts führt. | F4BME220 verfügt speziell über eine Dielektrizitätskonstante von 2,20 und bietet ein optimales Gleichgewicht aus extrem geringen Verlusten, hervorragender PIM-Leistung und Kosteneffizienz für kommerzielle Anwendungen mit hohem Volumen. |
2. Wichtige technische Spezifikationen (F4BME220)EigenschaftTestbedingung
Einheit
F4BME220 Wert
| Dielektrizitätskonstante (typisch) @ 10 GHz | 10 GHz | — | 2,2 |
| Toleranz der Dielektrizitätskonstante | 20 GHz | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | ±0,04 |
| Verlustfaktor (typisch) @ 10 GHz | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | 0,001 |
| Verlustfaktor (typisch) @ 20 GHz | 20 GHz | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | 0,0014 |
| Thermischer Koeffizient der Dk | -55°C bis +150°C | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | -142 |
| Abziehfestigkeit (F4BM – 1 oz ED) | — | — | >1,8 |
| Abziehfestigkeit (F4BME – 1 oz RTF) | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | MΩ·cm | >1,6 |
| Volumenwiderstand | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | MΩ·cm | ≥6×10⁶ |
| Oberflächenwiderstand | 5 kV, 500 V/s | MΩ | ≥1×10⁶ |
| Elektrische Festigkeit (Z-Richtung) | 5 kV, 500 V/s | kV/mm | >23 |
| Durchschlagspannung (XY-Richtung) | -55°C bis +288°C | kV | >30 |
| CTE – XY-Richtung | -55°C bis +288°C | ppm/°C | 25–34 |
| CTE – Z-Richtung | 260°C, 10s, 3 Zyklen | — | 240 |
| Thermische Belastung | 260°C, 10s, 3 Zyklen | — | Keine Delamination |
| Feuchtigkeitsaufnahme | 20±2°C, 24 Stunden | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | ≤0,08 |
| Dichte | Raumtemperatur | g/cm³ | 2,18 |
| Langzeit-Betriebstemperatur | — | °C | -55 bis +260 |
| Wärmeleitfähigkeit (Z-Richtung) | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | W/(m·K) | 0,24 |
| PIM-Wert (nur F4BME) | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | dBc | ≤ -159 |
| Entflammbarkeit | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | UL-94 | V-0 |
| Materialzusammensetzung | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | — | PTFE + Glasfasergewebe + RTF-Kupferfolie |
| Hinweis: F4BME verwendet RTF (Reverse-Treated Foil) Kupferfolie; F4BM verwendet ED-Kupferfolie. | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | F4BME220 bietet eine umfassende Reihe von Vorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns: | Merkmal |
Beschreibung
Breiter Dk-Bereich (2,17 – 3,0)
Wählbare und anpassbare Dielektrizitätskonstanten zur Erfüllung vielfältiger Designanforderungen
| Extrem niedriger Verlustfaktor | 0,0010 @ 10 GHz – einer der niedrigsten in seiner Klasse |
| RTF-Kupferfolie | Die rückseitig behandelte Folie bietet eine hervorragende PIM-Leistung (≤ -159 dBc) |
| Niedriger thermischer Koeffizient der Dk | -142 ppm/°C gewährleistet eine stabile Leistung über die Temperatur |
| UL 94 V-0 Entflammbarkeit | Erfüllt strenge Sicherheitsanforderungen |
| Vielfältige Größen | Mehrere Standard- und kundenspezifische Plattengrößen verfügbar |
| Hervorragende PIM-Leistung: | Die RTF-Kupferfolie von F4BME liefert PIM-Werte von ≤ -159 dBc und gewährleistet eine saubere Signalübertragung in anspruchsvollen HF-Systemen. |
| Extrem niedrige Verluste: | Mit einem Verlustfaktor von nur 0,0010 bei 10 GHz minimiert F4BME220 die Einfügedämpfung für hocheffiziente Designs. |
Verbesserte Stabilität: Eine enge Dk-Toleranz (±0,04) und eine geringe Feuchtigkeitsaufnahme (≤0,08 %) gewährleisten eine konsistente elektrische Leistung.
Strahlungsbeständigkeit und geringe Ausgasung: Geeignet für Luft- und Raumfahrtanwendungen.
Kostengünstig: Kommerzielle Produktion mit hohem Volumen und hervorragendem Preis-Leistungs-Verhältnis.
Dimensionsstabilität: Das optimierte PTFE-zu-Glasfaser-Verhältnis bietet eine hervorragende Dimensionsstabilität und eine geringe Wärmeausdehnung.
Vielseitige Verarbeitung:Unterstützt Standard-Leiterplattenfertigungsprozesse mit nachgewiesener hervorragender Bearbeitbarkeit für Feinstleiterbahnen und dichte Lochmuster.
Kommerzielle Verfügbarkeit: Massenproduktionskapazität mit diversifizierten Größen zur Optimierung der Materialausnutzung und Kostensenkung.
4. Kundenspezifische ultradünne 2-Schicht-Leiterplattenlösung auf F4BME220Aufbauend auf den fortschrittlichen Eigenschaften von F4BME220 bieten wir die folgende präzisionsgefertigte ultradünne 2-Schicht-Starrleiterplattenlösung an. Dieses Design ist ideal für platzbeschränkte HF-, Mikrowellen- und Antennenanwendungen, die eine außergewöhnliche elektrische Leistung und mechanische Flexibilität erfordern.
Details zur LeiterplattenkonstruktionParameter
Spezifikation
Basismaterial
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Wangling F4BME220 (RTF-Kupfer)
| Anzahl der Schichten | 2 |
| Fertige Plattengröße | 79 mm × 65,3 mm (±0,15 mm) |
| Fertige Plattendicke | 0,1 mm (ultradünn) |
| Minimale Leiterbahn / Abstand | 5 / 8 mils |
| Minimale Lochgröße | 0,25 mm (nur Durchgangsbohrungen; keine vergrabenen oder verdeckten Vias) |
| Kupfergewicht der äußeren Schicht | 1 oz (35 µm) |
| Via-Plating-Dicke | 20 µm |
| Oberflächenveredelung | Immersion Gold (ENIG) |
| Obere Siebdruckfarbe | Weiß |
| Untere Siebdruckfarbe | Keine |
| Obere Lötmaske | Grün |
| Untere Lötmaske | IPC-Klasse-2 |
| Elektrische Prüfung | 100 % vor Versand |
| Akzeptierter Qualitätsstandard | IPC-Klasse-2 |
| Artwork-Format | Gerber RS-274-X |
| Globale Verfügbarkeit | Weltweiter Versand |
| Design- und Fertigungshighlights | Ultradünnes Profil: |
| Mit nur 0,1 mm Fertigdicke und einem 0,1 mm Kern bietet diese Leiterplatte eine außergewöhnlich flache, leichte Lösung – eine der dünnsten auf dem Markt – ideal für kompakte tragbare Geräte, flexible Baugruppen und platzbeschränkte HF-Module. | Feine Strukturfähigkeit: |
Unterstützt 5/8 mil Leiterbahn/Abstand und 0,25 mm Mikro-Vias, was dichte Hochfrequenzschaltungslayouts mit hervorragender Signalintegrität ermöglicht.
Kupferschichten mit geringen Verlusten: 1 oz (35 µm) RTF-Kupfer auf beiden Seiten bietet eine hervorragende Leitfähigkeit mit reduzierten Leitungsverlusten und überlegener PIM-Leistung.
Grüne Lötmaske oben: Bietet Schutz für die obere Kupferschicht und ermöglicht gleichzeitig visuelle Inspektion und Montage.
Zuverlässige Verbindungen: Die Immersion Gold-Oberflächenveredelung bietet eine flache, oxidationsbeständige und hochgradig lötbare Oberfläche, die eine robuste Komponentenbefestigung und langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet.
Hervorragende PTH-Zuverlässigkeit: Mit 20 µm Via-Plating bietet die Leiterplatte eine zuverlässige Durchkontaktierungsintegrität trotz der ultradünnen Konstruktion.
Strenge Qualitätskontrolle: Jede Platine durchläuft eine 100%ige elektrische Prüfung und wird nach IPC-Klasse-2-Standards hergestellt, was eine gleichbleibende Qualität und Leistung garantiert.
Kritische DesignüberlegungenAufgrund der ultradünnen Dielektrikumdicke von 0,1 mm erfordert dieses Leiterplattendesign eine sorgfältige Handhabung während der Fertigung und Montage. Wichtige Überlegungen sind:
Minimierte Verformung: Spezielle Verarbeitungstechniken werden eingesetzt, um die Ebenheit während der Laminierung und Lötung zu erhalten.Präzisionsätzen: Die Fähigkeit zu feinen Strukturen (5/8 mil) erfordert hochauflösende Ätzprozesse.
Kontrollierte Impedanz: Das dünne Dielektrikum ermöglicht eine enge "Impedanzkontrolle" für Hochfrequenzdesigns.
Plattengrößenbeschränkung:
Für Dicken ≤0,2 mm ist die maximale Plattengröße auf 500×610 mm begrenzt, um die Verarbeitungsleistung und Qualität aufrechtzuerhalten.
5. Typische Anwendungen
F4BME220 und seine ultradünne Leiterplattenimplementierung sind ideal für eine Vielzahl von Hochfrequenz- und platzbeschränkten Anwendungen:Mikrowellen-, HF- und Radarsysteme: Hochfrequenzsignalverarbeitungs- und Übertragungsmodule.Phasenschieber: Präzise Phasensteuerung für Beamforming und Phased-Arrays.
Leistungsteiler, Koppler und Kombinatoren: Leistungsverteilungs- und Kombinationsnetzwerke.Feed-Netzwerke: Signalverteilung für Antennenarrays.Phased-Array-Antennen: Kompakte, leichte Antennenelemente für Radar und Kommunikation.
Satellitenkommunikation: Weltraumgestützte und bodengestützte Satellitenausrüstung, die geringe Ausgasung erfordert.
Basisstationsantennen: Mobile Kommunikationsinfrastruktur.
Passive Komponenten: Filter, Mischer und andere passive HF-Geräte.
6. Fazit
Als spezialisierter Anbieter von kundenspezifischen Hochfrequenzleiterplatten kombinieren wir die bewährte Leistung von Wangling F4BME220 – einem kommerziellen, ultraniedrig-verlustbehafteten PTFE-Glasfaserlaminat mit hervorragender PIM-Leistung – mit unseren Präzisionsfertigungskapazitäten, um erstklassige Leiterplattenlösungen zu liefern. Unser ultradünnes 2-Schicht-Angebot nutzt die stabilen dielektrischen Eigenschaften, die extrem niedrigen Verluste (0,0010 @ 10 GHz), die hervorragende PIM-Leistung (≤ -159 dBc) und die Dimensionsstabilität von F4BME220 voll aus und stellt sicher, dass Ihre anspruchsvollsten HF-, Mikrowellen- und Antennendesigns die optimale Leistung in den kompaktesten Formfaktoren erzielen.
Ob Sie Phased-Array-Antennen, Satellitenkommunikationsausrüstung, Basisstationsinfrastruktur oder kompakte HF-Module entwickeln, unser Ingenieurteam steht bereit, Ihr Projekt zu unterstützen. Für technische Beratungen, Muster oder Volumenbestellungen kontaktieren Sie uns noch heute. Wir freuen uns darauf, Ihr vertrauenswürdiger Partner für Hochfrequenzinnovationen zu sein.
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