Reduzierung von Signalverlusten in Hochfrequenzdesigns: F4BTMS300 Laminat mit Dk von 3 bei 10 GHz mit RTF-Kupferfolie
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Produkt-Beschreibung
1. Einführung zu F4BM245
F4BM245 ist ein Hochleistungs-PTFE-Glasfasergewebe-Laminat, hergestellt von Taizhou Wangling Insulation Material Factory. Es wird durch einen wissenschaftlich formulierten Prozess hergestellt, der Glasfasergewebe, Polytetrafluorethylen (PTFE)-Harz und PTFE-Folie unter strengen Prozesskontrollen kombiniert. Im Vergleich zur früheren F4B-Serie bietet F4BM245 eine deutlich verbesserte elektrische Leistung, einschließlich geringerer dielektrischer Verluste, höherem Isolationswiderstand und verbesserter Stabilität, was es zu einem zuverlässigen Ersatz für ähnliche ausländische Produkte macht.
Die F4B-Serie bietet eine breite Palette von Dielektrizitätskonstanten von 2,17 bis 3,0, mit anpassbaren Dk-Optionen. F4BM245 verfügt speziell über eine Dielektrizitätskonstante von 2,45 und bietet ein optimales Gleichgewicht zwischen geringen Verlusten, Dimensionsstabilität und Kosteneffizienz.
Kupferfolienoptionen
Die Varianten F4BM und F4BME teilen sich die gleiche dielektrische Schicht, unterscheiden sich jedoch in der Auswahl der Kupferfolie:
| Variante | Kupferfolientyp | Schlüsselmerkmale |
| F4BM245 | ED (galvanisch abgeschieden) Kupfer | Geeignet für Anwendungen ohne PIM-Anforderungen; kostengünstig |
| F4BME245 | Reverse-Treated Foil (RTF) Kupfer | Hervorragende PIM-Leistung (≤ -159 dBc); präzisere Leitungsführung; geringere Leiterverluste |
Durch präzise Anpassung des Verhältnisses zwischen PTFE-Harz und Glasfasergewebe erreicht Wangling eine genaue Kontrolle der Dielektrizitätskonstante bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung geringer Verluste und verbesserter Dimensionsstabilität. Höhere Dk-Werte entsprechen einem höheren Glasfaseranteil, was zu verbesserter Dimensionsstabilität, niedrigerem CTE, besserer Temperaturdriftleistung und einem leichten Anstieg des dielektrischen Verlusts führt.
2. Wichtige technische Spezifikationen (F4BM245)
| Eigenschaft | Testbedingung | Einheit | F4BM245 Wert |
| Dielektrizitätskonstante (typisch) @ 10 GHz | 10 GHz | — | 2,45 |
| Toleranz der Dielektrizitätskonstante | — | — | ±0,05 |
| Verlustfaktor (typisch) @ 10 GHz | 10 GHz | — | 0,0012 |
| Verlustfaktor (typisch) @ 20 GHz | 20 GHz | — | 0,0017 |
| Thermischer Koeffizient der Dk | -55°C bis +150°C | ppm/°C | -120 |
| Abziehfestigkeit (F4BM – 1 oz ED) | — | N/mm | >1,8 |
| Abziehfestigkeit (F4BME – 1 oz RTF) | — | N/mm | >1,6 |
| Volumenwiderstand | Normalzustand | MΩ·cm | ≥6×10⁶ |
| Oberflächenwiderstand | Normalzustand | MΩ | ≥1×10⁶ |
| Elektrische Festigkeit (Z-Richtung) | 5 kV, 500 V/s | kV/mm | >25 |
| Durchschlagsspannung (XY-Richtung) | 5 kV, 500 V/s | kV | >32 |
| CTE – X-Achse | -55°C bis +288°C | ppm/°C | 20 |
| CTE – Y-Achse | -55°C bis +288°C | ppm/°C | 25 |
| CTE – Z-Achse | -55°C bis +288°C | ppm/°C | 187 |
| Thermische Belastung | 260°C, 10s, 3 Zyklen | — | Keine Delamination |
| Feuchtigkeitsaufnahme | 20±2°C, 24 Stunden | % | ≤0,08 |
| Dichte | Raumtemperatur | g/cm³ | 2,22 |
| Langzeit-Betriebstemperatur | — | °C | -55 bis +260 |
| Wärmeleitfähigkeit (Z-Richtung) | — | W/(m·K) | 0,3 |
| PIM-Wert (nur F4BME) | — | dBc | ≤ -159 |
| Entflammbarkeit | — | UL-94 | V-0 |
| Materialzusammensetzung | — | — | PTFE + Glasfasergewebe |
3. Merkmale und Vorteile
F4BM245 bietet eine überzeugende Kombination von Leistungsvorteilen für Hochfrequenzschaltungsdesigns:
Breiter Dk-Bereich (2,17 – 3,0): Wählbare und anpassbare Dielektrizitätskonstanten zur Erfüllung vielfältiger Designanforderungen.
Niedriger Verlustfaktor: Extrem geringer Verlust von 0,0012 @ 10 GHz gewährleistet hohe Signalintegrität und minimale Einfügedämpfung.
F4BME-Option mit RTF-Kupfer: Bietet hervorragende PIM-Leistung (≤ -159 dBc), präzise Leitungsführung und reduzierte Leiterverluste für anspruchsvolle HF-Anwendungen.
Dimensionsstabilität: Optimiertes PTFE-zu-Glasfaser-Verhältnis bietet hervorragende Dimensionsstabilität und geringe Wärmeausdehnung.
Geringe Feuchtigkeitsaufnahme (≤0,08%): Behält stabile elektrische Eigenschaften in feuchten Umgebungen bei.
Strahlungsbeständigkeit & geringe Ausgasung: Geeignet für Luft- und Raumfahrtanwendungen.
UL 94 V-0 Entflammbarkeitsklasse: Erfüllt strenge Sicherheitsanforderungen.
Kostengünstig: Kommerzielle, hochvolumige Produktion mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.
Vielseitige Größen: Mehrere Standard- und kundenspezifische Plattengrößen verfügbar, um die Materialausnutzung zu optimieren und Kosten zu senken.
4. Kundenspezifische 2-Schicht-Leiterplattenlösung auf F4BM245
Basierend auf den fortschrittlichen Eigenschaften von F4BM245 bieten wir die folgende präzisionsgefertigte 2-Schicht-Starrleiterplattenlösung an. Dieses Design ist ideal für HF-, Mikrowellen-, Radar- und Satellitenkommunikationsanwendungen, die eine hervorragende elektrische Leistung und mechanische Stabilität erfordern.
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Details zur Leiterplattenkonstruktion
| Parameter | Spezifikation |
| Basismaterial | Wangling F4BM245 (ED-Kupfer) |
| Anzahl der Schichten | 2 |
| Fertige Plattengröße | 100 mm × 80 mm (±0,15 mm) |
| Fertige Plattendicke | 0,6 mm |
| Minimaler Leiter / Abstand | 4 / 5 mils |
| Minimale Lochgröße | 0,3 mm (nur Durchgangsbohrung; keine Sacklöcher) |
| Äußere Kupferschichtstärke | 1 oz (35 μm) |
| Via-Plattierungsdicke | 20 μm |
| Oberflächenveredelung | Immersion Gold (ENIG) |
| Obere Siebdruck | Keine |
| Untere Siebdruck | Keine |
| Obere Lötmaske | Keine |
| Untere Lötmaske | Keine |
| Elektrische Prüfung | 100% vor Versand |
| Akzeptierter Qualitätsstandard | IPC-Klasse-2 |
| Artwork-Format | Gerber RS-274-X |
| Globale Verfügbarkeit | Weltweiter Versand |
Design- und Fertigungshighlights
Optimierte Dicke: Der 0,508 mm (20 mil) Kern bietet ein ideales Gleichgewicht zwischen mechanischer Steifigkeit und elektrischer Leistung für Mikrowellendesigns.
Feinmerkmal-Fähigkeit: Unterstützt 4/5 mil Leiter/Abstand und 0,3 mm Mikro-Vias, was dichte Hochfrequenzschaltungs-Layouts ermöglicht.
Kupferschichten mit geringen Verlusten: 1 oz (35 μm) ED-Kupfer auf beiden Seiten bietet eine ausgezeichnete Leitfähigkeit für die HF-Signalübertragung.
Zuverlässige Verbindungen: Die Immersion Gold-Oberflächenveredelung sorgt für eine ebene, oxidationsbeständige und gut lötbare Oberfläche, die eine robuste Komponentenbefestigung unterstützt.
Hervorragende PTH-Zuverlässigkeit: Mit 20 μm Via-Plattierung und kontrolliertem Z-Achsen-CTE bietet die Leiterplatte eine zuverlässige Durchkontaktierungsintegrität.
Strenge Qualitätskontrolle: Jede Platine wird zu 100 % elektrisch geprüft und nach IPC-Klasse-2-Standards gefertigt, was eine gleichbleibende Qualität und Leistung garantiert.
5. Typische Anwendungen
F4BM245 wird in einer Vielzahl von HF- und Mikrowellenanwendungen eingesetzt:
Mikrowellen-, HF- und Radarsysteme: Hochfrequenz-Signalverarbeitungsmodule.
Phasenschieber: Präzise Phasensteuerung für Beamforming und Phased-Arrays.
Leistungsteiler, Koppler und Kombinatoren: Leistungsverteilungs- und Kombinationsnetzwerke.
Feed-Netzwerke: Signalverteilung für Antennen-Arrays.
Phasenempfindliche Antennen & Phased-Array-Antennen: Stabile Phasenleistung für Radar und Kommunikation.
Satellitenkommunikation: Weltraum- und bodengestützte Satellitenausrüstung.
Basisstationsantennen: Infrastruktur für mobile Kommunikation.
6. Fazit
Als spezialisierter Anbieter von kundenspezifischen Hochfrequenzleiterplatten kombinieren wir die bewährte Leistung von Wangling F4BM245 – einem kommerziell erhältlichen, hochvolumigen PTFE-Glasfasergewebe-Laminat mit ausgezeichneten elektrischen und mechanischen Eigenschaften – mit unseren Präzisionsfertigungskapazitäten, um erstklassige Leiterplattenlösungen zu liefern. Unser 2-Schicht-Angebot nutzt die stabilen dielektrischen Eigenschaften, die geringen Verluste, die Dimensionsstabilität und die Kosteneffizienz von F4BM245 voll aus und stellt sicher, dass Ihre HF- und Mikrowellendesigns optimale Leistung und Zuverlässigkeit erzielen.
Ob Sie Radarsysteme, Satellitenkommunikationsgeräte, Phased-Array-Antennen oder Basisstationsinfrastruktur entwickeln, unser Ingenieurteam steht bereit, Ihr Projekt zu unterstützen. Für technische Beratungen, Muster oder Volumenbestellungen kontaktieren Sie uns noch heute. Wir freuen uns darauf, Ihr vertrauenswürdiger Partner für Hochfrequenzinnovationen zu sein.
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