F4BME245 PTFE-Glasfaserlaminat mit rückseitig behandeltem Kupfer 4mil doppelseitiges Material und ultradünne PCB-Lösungen mit Tauchgold

Produkt-Beschreibung

Wenn ein Design die geringe PIM-Leistung von rückbehandeltem Kupferfolie, den geringen Verlust eines PTFE-basierten Dielektrikums und eine Dielektrizitätskonstante im Bereich von 2,4–2,5, dann liefert die F4BME245 von Taizhou Wangling Insulation Materials Factory eine ausgewogene Lösung. Präzisionsformuliert aus gewebtem Glasfasergewebe, PTFE-Harz und Folie, bietet dieses Laminat überlegene, konsistente elektrische Eigenschaften und dient als zuverlässiger, leistungsstarker heimischer Ersatz für vergleichbare importierte Materialien.

Die Serien F4BM und F4BME teilen sich die gleiche dielektrische Schicht, unterscheiden sich jedoch in ihrer Kupferfolie. F4BM ist mit ED-Kupferfolie gepaart, was es für Anwendungen ohne strenge PIM-Anforderungen geeignet macht. F4BME ist mit rückbehandelter RTF-Kupferfolie gepaart, was eine hervorragende PIM-Leistung, eine präzisere Leitungssteuerung und einen geringeren Leiterverlust bietet. In beiden Serien wird die Dielektrizitätskonstante durch Anpassung des Verhältnisses zwischen PTFE und Glasfasergewebe präzise abgestimmt – wodurch ein geringer Verlust erzielt und gleichzeitig die Dimensionsstabilität verbessert wird.

Wichtige Eigenschaften im Überblick (F4BME245):

Hinweis: F4BME245 bietet einen Dk-Bereich von 2,17 bis 3,0 mit anpassbaren Werten. Wenn Dk ≤ 2,65, beträgt die minimal verfügbare Dielektrikum-Dicke 0,1 mm; wenn Dk 2,7–3,0 beträgt, beträgt die minimale Dielektrikum-Dicke 0,2 mm.

Anwendungen

F4BME245 eignet sich gut für eine breite Palette von HF-, Mikrowellen- und Antennenanwendungen, darunter:

-Mikrowellen, HF und Radar

-Phasenschieber, passive Komponenten

-Leistungsteiler, Koppler, Kombinatoren

-Feed-Netzwerke, Phased-Array-Antennen

-Satellitenkommunikation, Basisstationsantennen

Kundenspezifische Leiterplattenfertigung auf F4BME245

Als spezialisierter Hersteller von Hochfrequenz-Leiterplatten bieten wir umfassende Fertigungsdienstleistungen mit F4BME245 und anderen fortschrittlichen Materialien an. Die folgende Spezifikation beschreibt eine repräsentative 2-lagige ultra-dünne HF-Leiterplattenimplementierung:

Details zur Leiterplattenkonstruktion:

Niedrige und eng kontrollierte Dielektrizitätskonstante:
Mit einer Dk von 2,45 ± 0,05 bei 10 GHz bietet F4BME245 eine enge Impedanzkontrolle und wiederholbare Schaltungsleistung. Das Material ist in einem Dk-Bereich von 2,17 bis 3,0 erhältlich, mit kundenspezifischen Werten, die auf spezifische Designanforderungen zugeschnitten sind.

Geringer dielektrischer Verlust:
Ein Verlustfaktor von 0,0012 bei 10 GHz und 0,0017 bei 20 GHz minimiert die Signaldämpfung und unterstützt effiziente Antennen-Feed-Netzwerke und verlustarme passive Komponenten über einen breiten Frequenzbereich.

Hervorragende PIM-Leistung:
In Verbindung mit rückbehandelter RTF-Kupferfolie erreicht F4BME245 PIM-Werte von ≤ -159 dBc, was es für empfindliche Empfangspfade in Basisstations-, Satelliten- und Phased-Array-Antennen geeignet macht.

Präzise Leitungssteuerung und geringer Leiterverlust:
Die rückbehandelte RTF-Kupferfolie bietet eine feinere Linienkontur und einen geringeren Leiterverlust im Vergleich zu Standard-ED-Kupfer, was enge Leiterbahn-/Abstandsanforderungen (4/7 mils in diesem Aufbau) und eine konsistente Impedanzkontrolle unterstützt.

Dimensionsstabilität durch Glasverstärkung:
Die Glasfasergewebeverstärkung bietet mechanische Festigkeit und Dimensionsstabilität mit einem CTE von 20 ppm/°C in X und 25 ppm/°C in Y – gut abgestimmt auf Kupfer für die Zuverlässigkeit von durchkontaktierten Löchern. Höhere Dk-Versionen bieten aufgrund des erhöhten Glasanteils eine noch größere Dimensionsstabilität.

Ultra-dünne Kernfähigkeit:
F4BME245 ist in Dielektrikum-Dicken bis zu 0,1 mm (für Dk ≤ 2,65) erhältlich, was extrem dünne, leichte Konstruktionen ermöglicht. Dies ist unerlässlich für kompakte HF-Designs, bei denen jeder Millimeter und jedes Gramm zählt.

Großer Dickenbereich:
Das Material ist in Dielektrikum-Dicken von 0,1 mm bis 12,0 mm erhältlich, was eine Vielzahl von Schaltungsdesigns ermöglicht. Dicken von 0,1 mm und 0,127 mm sind als reine Dielektrikum-Optionen erhältlich.

Strahlungs- und Ausgasungsbeständigkeit:
Das Material weist Strahlungsbeständigkeit und geringe Ausgasung auf, was es für Anwendungen im Weltraum und in der Luft- und Raumfahrt geeignet macht.

Kostengünstig und skalierbar:
Als kommerziell erhältliches, massenproduzierbares Material bietet F4BME245 ein hohes Kosten-Leistungs-Verhältnis mit mehreren Standardplattengrößen (460×610 mm, 500×600 mm, 850×1200 mm, 914×1220 mm, 1000×1200 mm) und kundenspezifischen Größen, um Materialabfall zu reduzieren.

Metallkaschierte Optionen:
Die Serie kann mit Kupfer- oder Aluminiumbasen (F4BME245—CU oder F4BME245—AL) zur Abschirmung oder Wärmeableitung geliefert werden, mit Metallbasen-Dicken von 0,48 mm bis 3,98 mm.

Qualität und Verfügbarkeit

Alle Platinen werden gemäß den IPC-Klasse-2-Qualitätsstandards hergestellt und gewährleisten eine robuste Zuverlässigkeit für kommerzielle, industrielle und verteidigungsbezogene Anwendungen. Vor dem Versand wird eine 100%ige elektrische Prüfung durchgeführt, um die funktionale Integrität zu gewährleisten.

Unsere Produktionskapazität erstreckt sich auf weltweite Verfügbarkeit mit flexiblem Versand- und Logistiksupport für Prototypen- und Volumenanforderungen. Wir bieten schnelle Durchlaufzeiten und wettbewerbsfähige Preise bei gleichzeitiger Einhaltung strenger Prozesskontrollen.

Für Anfragen zu kundenspezifischen Stapelungen, Plattengrößen, alternativen Dk-Werten (2,17 bis 3,0), Kupferfolienoptionen (ED oder rückbehandelte RTF), metallkaschierten Konfigurationen oder anderen Anforderungen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsingenieurteam – wir sind bereit, Ihre Hochfrequenz-Leiterplattenanforderungen zu unterstützen.