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niedrig DK 2.55 F4BME255 PTFE Glasgewebe verstärkt Kupferkaschiertes Laminat F4BME gepaart mit rückseitenbehandeltem (RTF) Kupferfolie

niedrig DK 2.55 F4BME255 PTFE Glasgewebe verstärkt Kupferkaschiertes Laminat F4BME gepaart mit rückseitenbehandeltem (RTF) Kupferfolie

MOQ: 1Stk
Preis: 0.99-99USD/PCS
Standardverpackung: Verpackung
Lieferfrist: 2-10 Werktage
Zahlungsmethode: T/T, Paypal
Lieferkapazität: 10000 Stück
Ausführliche Information
Herkunftsort
China
Markenname
Wangling
Zertifizierung
ISO9001
Modellnummer
F4BME255 Kupferkaschiertes Laminat
Min Bestellmenge:
1Stk
Preis:
0.99-99USD/PCS
Verpackung Informationen:
Verpackung
Lieferzeit:
2-10 Werktage
Zahlungsbedingungen:
T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
10000 Stück
Beschreibung des Produkts

F4BME255 Kupferplattiertes Laminat: PTFE-Verbundwerkstoff mit niedrigem PIM-Wert für Hochfrequenzanwendungen


Die Fabrik für Isoliermaterialien von Taizhou Wangling präsentiert die F4BME255,ein hochleistungsfähiges, mit Kupfer beschichtetes Laminat aus PTFE-Glasgewebe, das für Anwendungen mit außergewöhnlichen Leistungen bei passiver Intermodulation (PIM) entwickelt wurdeAls Teil unserer F4BME-Serie,Dieses Material kombiniert stabile elektrische Eigenschaften mit fortschrittlicher umgekehrt behandelter Kupferfolie-Technologie, um eine überlegene Signalintegrität für HF- und Mikrowellenkonstruktionen zu bieten.

Elektrische Leistung mit Low-PIM-Technologie
Der F4BME255 verfügt über eine dielektrische Konstante (Dk) von 2,55 ± 0,05 bei 10 GHz und bietet eine stabile und vorhersehbare elektrische Leistung, die für kontrollierte Impedanzkonstruktionen von entscheidender Bedeutung ist.Der Verlustfaktor (Df) ist außergewöhnlich gering:

0.0013 bei 10 GHz

0.0018 bei 20 GHz

F4BME-Serie

Technische Parameter des Produkts Produktmodell und Datenblatt
Produktmerkmale Prüfbedingungen Einheit F4BME217 F4BME220 F4BME233 F4BME245 F4BME255 F4BME265 F4BME275 F4BME294 F4BME300
Dielektrische Konstante (typisch) 10 GHz / 2.17 2.2 2.33 2.45 2.55 2.65 2.75 2.94 3.0
Dielektrische Konstante Toleranz / / ±0.04 ±0.04 ±0.04 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.06 ±0.06
Verlusttangent (typisch) 10 GHz / 0.001 0.001 0.0011 0.0012 0.0013 0.0013 0.0015 0.0016 0.0017
20 GHz / 0.0014 0.0014 0.0015 0.0017 0.0018 0.0019 0.0021 0.0023 0.0025
Dielektrische konstante Temperaturkoeffizient -55°C bis 150°C PPM/°C - 150 Dollar. -142 - 130 - 120 -110 - 100 - 92 Jahre - 85 Jahre. -80
Schälfestigkeit 1 OZ F4BM N/mm > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18
1 OZ F4BME N/mm > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16
Volumenwiderstand Standardzustand MΩ.cm ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6
Oberflächenwiderstand Standardzustand ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6
Elektrische Festigkeit (Z-Richtung) 5KW,500V/s KV/mm > 23 > 23 > 23 > 25 > 25 > 25 > 28 > 30 > 30
Ausfallspannung (XY-Richtung) 5KW,500V/s KV > 30 > 30 > 32 > 32 > 34 > 34 > 35 > 36 > 36
Koeffizient der thermischen Ausdehnung XY-Richtung -55 °C bis 288 °C ppm/oC 2,534 2,534 2,230 2,025 1,621 1,417 1,416 1,215 1,215
Z-Richtung -55 °C bis 288 °C ppm/oC 240 240 205 187 173 142 112 98 95
Wärmebelastung 260°C, 10 Sekunden, 3 Mal Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination
Absorption von Wasser 20 ± 2 °C, 24 Stunden % ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008
Dichte Raumtemperatur G/cm3 2.17 2.18 2.20 2.22 2.25 2.25 2.28 2.29 2.29
Langfristige Betriebstemperatur Hoch-Niedrigtemperatur-Kammer °C -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260
Wärmeleitfähigkeit Z-Richtung W/(M.K) 0.24 0.24 0.28 0.30 0.33 0.36 0.38 0.41 0.42
PIM Nur für F4BME dBc ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159
Entflammbarkeit / UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
Materialzusammensetzung / / PTFE, Glasfaserstoff
F4BM in Verbindung mit ED-Kupferfolie, F4BME in Verbindung mit umgekehrt behandelter (RTF) Kupferfolie.

Was den F4BME255 wirklich auszeichnet, ist seine hervorragende PIM-Leistung.Dieses Material ist speziell für Anwendungen optimiert, bei denen passive Intermodulationsverzerrungen nicht toleriert werden können..

Die umgekehrt behandelte Kupferfolie (RTF) bietet:

Überlegene PIM-Eigenschaften für Hochempfindlichkeitsempfängersysteme

Präzisere Steuerung der Leitung durch reduzierte Rohheit der Kupferoberfläche

Niedrigerer Leiterverlust im Vergleich zu herkömmlichem elektrodeponiertem Kupfer

Der thermische Koeffizient der dielektrischen Konstante beträgt -110 ppm/°C bei -55°C bis 150°C und gewährleistet eine stabile elektrische Leistung in einem breiten Betriebstemperaturbereich.Volumenwiderstand größer als 6 × 106 MΩ·cm, wobei der Oberflächenwiderstand ≥ 1 × 106 MΩ beträgt und robuste Isolationsmerkmale aufweist.

Wärmeeffizienz:

Koeffizient der thermischen Ausdehnung (CTE): 16-21 ppm/°C (X/Y-Richtung), 173 ppm/°C (Z-Richtung)

Wärmeleitfähigkeit: 0,33 W/m·K)

Langzeitbetriebstemperatur: -55°C bis +260°C

Wärmebelastung: hält 10 Sekunden lang bei 260 °C über drei Zyklen ohne Delamination stand

Mechanische Qualität:

Kupfer-Pellerfestigkeit: > 1,6 N/mm bei 1 oz RTF-Kupfer

Feuchtigkeitsabsorption: ≤ 0,08%, was eine gleichbleibende Leistung in feuchten Umgebungen gewährleistet

Dichte: 2,25 g/cm3

Flammbarkeit UL 94 V-0

Vielseitige Anwendungen

Mikrowellen- und HF-Schaltkreise

Radarsysteme

Phasenwechselgeräte und passive Bauteile

mit einer Leistung von mehr als 50 W und mit einer Leistung von mehr als 50 W

Zuführnetze und Antennen für Phasenanlagen

Antennen für Satellitenkommunikation und Basisstationen

Verarbeitung und Herstellung
Der F4BME255 ist für die Herstellung mit Standard-PTFE-Fabrikationstechniken ausgelegt:

Kompatibel mit herkömmlichen PCB-Verarbeitungsanlagen

Ausgezeichnete Bearbeitungsfähigkeit für Bohrungen, Verlagerungen und Scheren

Widerstandsfähig gegen alle üblichen Ätzerchemikalien und Lösungsmittel

Unterstützt sowohl Durchlöcher- als auch Oberflächenmontage-Technologien

Ausgezeichnete Dimensionsstabilität während der gesamten Herstellung

Die RTF-Kupferfolie verfügt über eine speziell behandelte Oberfläche, die eine überlegene Haftung bietet und gleichzeitig die glatte Signalträgeroberfläche beibehält, die für eine Leistung mit geringem Verlust unerlässlich ist.

Standardkonfigurationen
Optionen für Kupferfolie (F4BME-Serie):

0.5 oz (0,018 mm) umgekehrt behandelte Kupferfolie

1 oz (0,035 mm) umgekehrt behandelte Kupferfolie

Standardgrößen der Platten:

460 × 610 mm (18" × 24")

500 × 600 mm

850 × 1200 mm

914 × 1220 mm (36" × 48")

1000 × 1200 mm

Besondere Größen:

300 × 250 mm, 350 × 380 mm, 500 × 500 mm, 840 × 840 mm, 1000 × 1500 mm

Auswahl der Dicke:

Erhältlich von 0,1 mm bis 12,0 mm (Gemeinsame Dicke oder dielektrische Dicke angeben)

Für Dk ≤ 265, Dielektrische Dicke: 0,1 mm

Für Dk 2,7 ¢3.0, Dielektrische Dicke: 0,2 mm

Metallgestützte Konfigurationen:

F4BME255-AL: Aluminiumunterlage für leichte thermische Bewirtschaftung

F4BME255-CU: Kupferunterlage für maximale Wärmeabfuhr

Produktionskapazitäten und Qualitätssicherung


Als spezialisierter Hersteller von PTFE-basierten Schaltkreismaterialien führt Taizhou Wangling eine strenge Qualitätskontrolle während des gesamten Produktionsprozesses durch:

Fortgeschrittene Fertigung: Präzisionsharzimpregnierung, Hochtemperaturlaminierung und strenge Prozesskontrolle

Produktionskapazität: Skalierbare Fertigung zur Unterstützung von Prototypen und Großvolumenanforderungen

Qualitätsprüfung: Alle Materialien nach den Normen IPC-TM-650 und GB/T geprüft.

Rückverfolgbarkeit der Chargen: Vollständige Rückverfolgbarkeit des Materials zur Qualitätssicherung

Aufbewahrungsanforderungen:

Aufbewahren in sauberer, trockener Umgebung bei 10°C bis 35°C

Die relative Luftfeuchtigkeit sollte unter 70% bleiben.

In der Originalverpackung aufbewahren, bis zur Verwendung bereit

Vermeiden Sie direktes Sonnenlicht, korrosive Gase und extreme Temperaturschwankungen

Aufbewahren von Platten flach, um Verkrümmung zu vermeiden

empfohlene Haltbarkeitsdauer: 12 Monate unter geeigneten Bedingungen

Transportmittel:

Schutzinterlieferung verhindert Oberflächenschäden

Sicherer Kantenschutz minimiert Transitschäden

Feuchtigkeitsschutzverpackungen

Mehrfache Verpackungsmöglichkeiten für In- und Auslandsversand

Einhaltung der internationalen Vorschriften für den Versand elektronischer Materialien

Warum die F4BME255?
Der F4BME255 kombiniert stabile elektrische Eigenschaften, ultra-niedrige PIM-Leistung und ausgezeichnete thermische Eigenschaften in einer kostengünstigen, großvolumigen herstellbaren Plattform.Die RTF-Kupfertechnologie bietet eine überlegene Signalintegrität und gleichzeitig eine starke Haftung, so dass es eine ideale Wahl für Designer ist, die zuverlässige, leistungsstarke Materialien für anspruchsvolle HF-Anwendungen suchen.

Kontaktieren Sie heute noch die Fabrik für Isoliermaterialien von Taizhou Wangling, um zu besprechen, wie die F4BME255 Ihren spezifischen Anforderungen an die Hochfrequenzkonstruktion gerecht werden kann.

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EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
niedrig DK 2.55 F4BME255 PTFE Glasgewebe verstärkt Kupferkaschiertes Laminat F4BME gepaart mit rückseitenbehandeltem (RTF) Kupferfolie
MOQ: 1Stk
Preis: 0.99-99USD/PCS
Standardverpackung: Verpackung
Lieferfrist: 2-10 Werktage
Zahlungsmethode: T/T, Paypal
Lieferkapazität: 10000 Stück
Ausführliche Information
Herkunftsort
China
Markenname
Wangling
Zertifizierung
ISO9001
Modellnummer
F4BME255 Kupferkaschiertes Laminat
Min Bestellmenge:
1Stk
Preis:
0.99-99USD/PCS
Verpackung Informationen:
Verpackung
Lieferzeit:
2-10 Werktage
Zahlungsbedingungen:
T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
10000 Stück
Beschreibung des Produkts

F4BME255 Kupferplattiertes Laminat: PTFE-Verbundwerkstoff mit niedrigem PIM-Wert für Hochfrequenzanwendungen


Die Fabrik für Isoliermaterialien von Taizhou Wangling präsentiert die F4BME255,ein hochleistungsfähiges, mit Kupfer beschichtetes Laminat aus PTFE-Glasgewebe, das für Anwendungen mit außergewöhnlichen Leistungen bei passiver Intermodulation (PIM) entwickelt wurdeAls Teil unserer F4BME-Serie,Dieses Material kombiniert stabile elektrische Eigenschaften mit fortschrittlicher umgekehrt behandelter Kupferfolie-Technologie, um eine überlegene Signalintegrität für HF- und Mikrowellenkonstruktionen zu bieten.

Elektrische Leistung mit Low-PIM-Technologie
Der F4BME255 verfügt über eine dielektrische Konstante (Dk) von 2,55 ± 0,05 bei 10 GHz und bietet eine stabile und vorhersehbare elektrische Leistung, die für kontrollierte Impedanzkonstruktionen von entscheidender Bedeutung ist.Der Verlustfaktor (Df) ist außergewöhnlich gering:

0.0013 bei 10 GHz

0.0018 bei 20 GHz

F4BME-Serie

Technische Parameter des Produkts Produktmodell und Datenblatt
Produktmerkmale Prüfbedingungen Einheit F4BME217 F4BME220 F4BME233 F4BME245 F4BME255 F4BME265 F4BME275 F4BME294 F4BME300
Dielektrische Konstante (typisch) 10 GHz / 2.17 2.2 2.33 2.45 2.55 2.65 2.75 2.94 3.0
Dielektrische Konstante Toleranz / / ±0.04 ±0.04 ±0.04 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.06 ±0.06
Verlusttangent (typisch) 10 GHz / 0.001 0.001 0.0011 0.0012 0.0013 0.0013 0.0015 0.0016 0.0017
20 GHz / 0.0014 0.0014 0.0015 0.0017 0.0018 0.0019 0.0021 0.0023 0.0025
Dielektrische konstante Temperaturkoeffizient -55°C bis 150°C PPM/°C - 150 Dollar. -142 - 130 - 120 -110 - 100 - 92 Jahre - 85 Jahre. -80
Schälfestigkeit 1 OZ F4BM N/mm > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18 > 18
1 OZ F4BME N/mm > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16 > 16
Volumenwiderstand Standardzustand MΩ.cm ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6 ≥ 6 × 10 ^ 6
Oberflächenwiderstand Standardzustand ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6 ≥ 1 × 10 ^ 6
Elektrische Festigkeit (Z-Richtung) 5KW,500V/s KV/mm > 23 > 23 > 23 > 25 > 25 > 25 > 28 > 30 > 30
Ausfallspannung (XY-Richtung) 5KW,500V/s KV > 30 > 30 > 32 > 32 > 34 > 34 > 35 > 36 > 36
Koeffizient der thermischen Ausdehnung XY-Richtung -55 °C bis 288 °C ppm/oC 2,534 2,534 2,230 2,025 1,621 1,417 1,416 1,215 1,215
Z-Richtung -55 °C bis 288 °C ppm/oC 240 240 205 187 173 142 112 98 95
Wärmebelastung 260°C, 10 Sekunden, 3 Mal Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination Keine Delamination
Absorption von Wasser 20 ± 2 °C, 24 Stunden % ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008 ≤ 008
Dichte Raumtemperatur G/cm3 2.17 2.18 2.20 2.22 2.25 2.25 2.28 2.29 2.29
Langfristige Betriebstemperatur Hoch-Niedrigtemperatur-Kammer °C -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260 -55 ¢ + 260
Wärmeleitfähigkeit Z-Richtung W/(M.K) 0.24 0.24 0.28 0.30 0.33 0.36 0.38 0.41 0.42
PIM Nur für F4BME dBc ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159 ≤ 159
Entflammbarkeit / UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
Materialzusammensetzung / / PTFE, Glasfaserstoff
F4BM in Verbindung mit ED-Kupferfolie, F4BME in Verbindung mit umgekehrt behandelter (RTF) Kupferfolie.

Was den F4BME255 wirklich auszeichnet, ist seine hervorragende PIM-Leistung.Dieses Material ist speziell für Anwendungen optimiert, bei denen passive Intermodulationsverzerrungen nicht toleriert werden können..

Die umgekehrt behandelte Kupferfolie (RTF) bietet:

Überlegene PIM-Eigenschaften für Hochempfindlichkeitsempfängersysteme

Präzisere Steuerung der Leitung durch reduzierte Rohheit der Kupferoberfläche

Niedrigerer Leiterverlust im Vergleich zu herkömmlichem elektrodeponiertem Kupfer

Der thermische Koeffizient der dielektrischen Konstante beträgt -110 ppm/°C bei -55°C bis 150°C und gewährleistet eine stabile elektrische Leistung in einem breiten Betriebstemperaturbereich.Volumenwiderstand größer als 6 × 106 MΩ·cm, wobei der Oberflächenwiderstand ≥ 1 × 106 MΩ beträgt und robuste Isolationsmerkmale aufweist.

Wärmeeffizienz:

Koeffizient der thermischen Ausdehnung (CTE): 16-21 ppm/°C (X/Y-Richtung), 173 ppm/°C (Z-Richtung)

Wärmeleitfähigkeit: 0,33 W/m·K)

Langzeitbetriebstemperatur: -55°C bis +260°C

Wärmebelastung: hält 10 Sekunden lang bei 260 °C über drei Zyklen ohne Delamination stand

Mechanische Qualität:

Kupfer-Pellerfestigkeit: > 1,6 N/mm bei 1 oz RTF-Kupfer

Feuchtigkeitsabsorption: ≤ 0,08%, was eine gleichbleibende Leistung in feuchten Umgebungen gewährleistet

Dichte: 2,25 g/cm3

Flammbarkeit UL 94 V-0

Vielseitige Anwendungen

Mikrowellen- und HF-Schaltkreise

Radarsysteme

Phasenwechselgeräte und passive Bauteile

mit einer Leistung von mehr als 50 W und mit einer Leistung von mehr als 50 W

Zuführnetze und Antennen für Phasenanlagen

Antennen für Satellitenkommunikation und Basisstationen

Verarbeitung und Herstellung
Der F4BME255 ist für die Herstellung mit Standard-PTFE-Fabrikationstechniken ausgelegt:

Kompatibel mit herkömmlichen PCB-Verarbeitungsanlagen

Ausgezeichnete Bearbeitungsfähigkeit für Bohrungen, Verlagerungen und Scheren

Widerstandsfähig gegen alle üblichen Ätzerchemikalien und Lösungsmittel

Unterstützt sowohl Durchlöcher- als auch Oberflächenmontage-Technologien

Ausgezeichnete Dimensionsstabilität während der gesamten Herstellung

Die RTF-Kupferfolie verfügt über eine speziell behandelte Oberfläche, die eine überlegene Haftung bietet und gleichzeitig die glatte Signalträgeroberfläche beibehält, die für eine Leistung mit geringem Verlust unerlässlich ist.

Standardkonfigurationen
Optionen für Kupferfolie (F4BME-Serie):

0.5 oz (0,018 mm) umgekehrt behandelte Kupferfolie

1 oz (0,035 mm) umgekehrt behandelte Kupferfolie

Standardgrößen der Platten:

460 × 610 mm (18" × 24")

500 × 600 mm

850 × 1200 mm

914 × 1220 mm (36" × 48")

1000 × 1200 mm

Besondere Größen:

300 × 250 mm, 350 × 380 mm, 500 × 500 mm, 840 × 840 mm, 1000 × 1500 mm

Auswahl der Dicke:

Erhältlich von 0,1 mm bis 12,0 mm (Gemeinsame Dicke oder dielektrische Dicke angeben)

Für Dk ≤ 265, Dielektrische Dicke: 0,1 mm

Für Dk 2,7 ¢3.0, Dielektrische Dicke: 0,2 mm

Metallgestützte Konfigurationen:

F4BME255-AL: Aluminiumunterlage für leichte thermische Bewirtschaftung

F4BME255-CU: Kupferunterlage für maximale Wärmeabfuhr

Produktionskapazitäten und Qualitätssicherung


Als spezialisierter Hersteller von PTFE-basierten Schaltkreismaterialien führt Taizhou Wangling eine strenge Qualitätskontrolle während des gesamten Produktionsprozesses durch:

Fortgeschrittene Fertigung: Präzisionsharzimpregnierung, Hochtemperaturlaminierung und strenge Prozesskontrolle

Produktionskapazität: Skalierbare Fertigung zur Unterstützung von Prototypen und Großvolumenanforderungen

Qualitätsprüfung: Alle Materialien nach den Normen IPC-TM-650 und GB/T geprüft.

Rückverfolgbarkeit der Chargen: Vollständige Rückverfolgbarkeit des Materials zur Qualitätssicherung

Aufbewahrungsanforderungen:

Aufbewahren in sauberer, trockener Umgebung bei 10°C bis 35°C

Die relative Luftfeuchtigkeit sollte unter 70% bleiben.

In der Originalverpackung aufbewahren, bis zur Verwendung bereit

Vermeiden Sie direktes Sonnenlicht, korrosive Gase und extreme Temperaturschwankungen

Aufbewahren von Platten flach, um Verkrümmung zu vermeiden

empfohlene Haltbarkeitsdauer: 12 Monate unter geeigneten Bedingungen

Transportmittel:

Schutzinterlieferung verhindert Oberflächenschäden

Sicherer Kantenschutz minimiert Transitschäden

Feuchtigkeitsschutzverpackungen

Mehrfache Verpackungsmöglichkeiten für In- und Auslandsversand

Einhaltung der internationalen Vorschriften für den Versand elektronischer Materialien

Warum die F4BME255?
Der F4BME255 kombiniert stabile elektrische Eigenschaften, ultra-niedrige PIM-Leistung und ausgezeichnete thermische Eigenschaften in einer kostengünstigen, großvolumigen herstellbaren Plattform.Die RTF-Kupfertechnologie bietet eine überlegene Signalintegrität und gleichzeitig eine starke Haftung, so dass es eine ideale Wahl für Designer ist, die zuverlässige, leistungsstarke Materialien für anspruchsvolle HF-Anwendungen suchen.

Kontaktieren Sie heute noch die Fabrik für Isoliermaterialien von Taizhou Wangling, um zu besprechen, wie die F4BME255 Ihren spezifischen Anforderungen an die Hochfrequenzkonstruktion gerecht werden kann.

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