F4BM275 HF-Substrat, doppelseitig kupferkaschiertes Laminat, ED-Kupfer in den Gewichten von 0,5 oz 18 µm, 1 oz 35 µm, 1,5 oz 50 µm, 2 oz 70 µm

F4BM275: Ein Hochleistungs-HF-Laminat für ausgewogenes Design

Entwickelt als wichtiges Mitglied der vielseitigen F4BM/F4BME-Produktfamilie bietet das F4BM275 PTFE/Glasfaser-Laminat eine hervorragende Balance aus elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften, zugeschnitten auf fortschrittliche HF- und Mikrowellenanwendungen. Mit einer sorgfältig abgestimmten Dielektrizitätskonstante (Dk) von 2,75 nimmt es die höhere Stufe des Dk-Spektrums der Serie ein und bietet Designern eine einzigartige Kombination aus erhöhter struktureller Stabilität und erhaltener Signalintegrität. Dieses Material ist eine robuste, hochwertige Alternative zu importierten Laminaten und wurde entwickelt, um den strengen Anforderungen moderner Hochfrequenzschaltungen gerecht zu werden.

Vorteile des Kernmaterials

Die Zusammensetzung des F4BM275 nutzt einen erhöhten Anteil an gewebtem Glasgewebe im Verhältnis zu PTFE-Harz, um seine Ziel-Dielektrizitätskonstante zu erreichen. Dieser höhere Glasgehalt führt direkt zu überlegener Dimensionsstabilität, einem niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) in der Ebene und verbesserter thermischer Leistung. Folglich eignet es sich hervorragend für Mehrschichtplattenkonstruktionen und Anwendungen, bei denen die physikalische Robustheit unter thermischer Belastung entscheidend ist.

Dieses mit Standard-Elektrodepositions-(ED)-Kupferfolie kaschierte Produkt ist für eine kostengünstige Leistung in Anwendungen optimiert, bei denen ultra-niedrige passive Intermodulation (PIM) keine primäre Einschränkung darstellt. Es liefert eine zuverlässige, verlustarme Leistung, die für Leistungsverteiler, Koppler, Filter und Antennenspeisenetzwerke unerlässlich ist. Seine ausgezeichnete thermische und umweltbedingte Beständigkeit macht es auch zu einem starken Kandidaten für Luft- und Raumfahrt-, Satelliten- und Radarsysteme.

Datenblatt

Elektrische Leistung (@ 10 GHz):

• Dielektrizitätskonstante (Dk): 2,75 ±0,05
• Verlustfaktor (Df): 0,0015 (steigt auf 0,0021 @ 20 GHz)
• Temperaturkoeffizient von Dk (TCDk): -92 ppm/°C (-55°C bis 150°C)
• Isolierung: Volumenwiderstand ≥ 6×10⁶ MΩ·cm; Oberflächenwiderstand ≥ 1×10⁶ MΩ

Thermische & Strukturelle Eigenschaften:

• Wärmeausdehnungskoeffizient: XY-Achse: 14-16 ppm/°C (-55°C bis 288°C), Z-Achse: 112 ppm/°C (-55°C bis 288°C)
• Wärmeleitfähigkeit (Z-Achse): 0,38 W/(m·K)
• Betriebsbereich: -55°C bis +260°C
• Feuchtigkeitsaufnahme: ≤ 0,08%
• Entflammbarkeit: UL 94 V-0 zertifiziert

Mechanische Zuverlässigkeit:

• Kupfer-Schälfestigkeit (1 oz. ED): > 1,8 N/mm
• Thermische Belastung: Keine Delamination nach 3 Zyklen von 10 Sekunden bei 260°C

Konfigurationen & Verfügbarkeit

Das F4BM275 bietet bemerkenswerte Flexibilität, um den vielfältigen Fertigungsanforderungen gerecht zu werden:

Kupferkaschierung: Erhältlich mit Standard-ED-Kupfer in Gewichten von 0,5 oz (18µm), 1 oz (35µm), 1,5 oz (50µm) und 2 oz (70µm).

Plattengrößen: Standardgrößen sind 460x610mm, 500x600mm, 850x1200mm, 914x1220mm und 1000x1200mm, wobei kundenspezifische Größen auf Anfrage erhältlich sind.

Kernstärke: Es wird eine breite Palette angeboten, von 0,2 mm (Minimum für Dk 2,75) bis zu 12,0 mm, mit angegebenen Fertigungstoleranzen.

Erweiterte Lösungen: Erhältlich als metallkaschierte Laminate (F4BM275-CU oder F4BM275-AL) für Anwendungen, die eine überlegene Wärmeableitung (Kupferbasis) oder eine effektive Abschirmung (Aluminiumbasis) erfordern.

Schlussfolgerung

Das F4BM275 zeichnet sich als strategisch entwickeltes Substrat aus, das eine höhere, stabile Dielektrizitätskonstante meisterhaft mit den inhärenten verlustarmen Vorteilen der PTFE-Chemie ausbalanciert. Sein erhöhter Glasgewebegehalt gewährleistet die Dimensions- und thermische Stabilität, die für zuverlässige, hochdichte Baugruppen erforderlich ist. Mit umfangreichen Konfigurationsoptionen und unterstützt durch die kommerzielle Großserienproduktion stellt das F4BM275 eine überzeugende, leistungsstarke und kostengünstige Lösung für die nächste Generation von HF- und Mikrowellendesigns dar.