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Rogers TMM4 PCB Mikrowelle mit Immersion Gold für Satellitenkommunikation | TMM3, TMM6, TMM10, TMM10i, TMM13i
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Rogers TMM4 PCB Mikrowelle mit Immersion Gold für Satellitenkommunikation | TMM3, TMM6, TMM10, TMM10i, TMM13i
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Rogers TMM4 PCB Mikrowelle mit Immersion Gold für Satellitenkommunikation | TMM3, TMM6, TMM10, TMM10i, TMM13i

MOQ: 1
Preis: USD 9.99-99.99
Standardverpackung: Vakuum
Lieferfrist: 10 Werktage
Zahlungsmethode: T/T, Paypal
Lieferkapazität: 50000 Stücke pro Monat
Ausführliche Information
Beschreibung des Produkts
Ausführliche Information
Herkunftsort
China
Markenname
Bicheng Technologies Limited
Zertifizierung
UL
Modellnummer
BIC-103-V1
Glasepoxid:
TMM4
Abschließende Höhe von PWB:
1,6 mm ± 10 %
Abschließende Folie extern:
1 Unze
Oberflächenende:
Immersionsgold
Lötmittel-Masken-Farbe:
Grün
Farbe der Teillegende:
weiß
Zahl von Schichten:
2
TEST:
100% früherer Versand elektrischen Tests
Min Bestellmenge:
1
Preis:
USD 9.99-99.99
Verpackung Informationen:
Vakuum
Lieferzeit:
10 Werktage
Zahlungsbedingungen:
T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
50000 Stücke pro Monat
Beschreibung des Produkts

Mikrowelle Rogers TMM4 PWB für Rf- und Mikrowellen-Schaltkreis | TMM3, TMM6, TMM10, TMM10i, TMM13i PWB
(PWBs sind Produkte nach Maß, das Bild und die gezeigten Parameter sind gerade als Referenz)
Ist thermoset Mikrowellenmaterial Rogers TMM4 keramisch, Kohlenwasserstoff, die thermoset Polymerzusammensetzung, die für hohe Überziehen-durchlochzuverlässigkeitsstripline und -mikrobandleiteranwendungen bestimmt ist. Es ist mit Dielektrizitätskonstante bei 4,70 verfügbar. Die elektrischen und mechanischen Eigenschaften von TMM4 kombinieren viele des Nutzens der keramischen und traditionellen PTFE-Mikrowellen-Stromkreismaterialien, ohne die fachkundigen Produktionstechniken zu erfordern. Sie erfordert eine Natrium-napthanate Behandlung nicht vor electroless Überzug.
 
TMM4 hat einen außergewöhnlich niedrigen thermischen Koeffizienten der Dielektrizitätskonstante, gewöhnlich weniger als 30 PPM/°C. Der isotrope Ausdehnungskoeffizient des Materials, sehr nah angepasst an Kupfer, lässt die Produktion der hohen Zuverlässigkeit überzogen durch Löcher und die niedrigen Ätzungsschrumpfungswerte zu. Außerdem ist die Wärmeleitfähigkeit von TMM4 ungefähr zweimal die von traditionellen PTFE-/ceramicmaterialien und erleichtert Hitzeabbau.
 
TMM4 basiert auf thermoset Harzen und erweicht nicht, wenn es erhitzt wird. Infolgedessen führt Drahtanschluss von Teil zu Leiterzüge kann ohne die Interessen der Auflage anhebend oder Substratdeformation durchgeführt werden.
 
Unsere Fähigkeit (TMM4)

PWB-Material:Zusammensetzung von keramischem, von Kohlenwasserstoff und von thermoset Polymer
Designator:TMM4
Dielektrizitätskonstante:4,5 ±0.045 (Prozess); 4,7 (Entwurf)
Schichtzählung:1 Schicht, 2 Schicht
Kupfernes Gewicht:0.5oz (17 µm), 1oz (35µm), 2oz (70µm)
PWB-Stärke:15mil (0.381mm), 20mil (0.508mm), 25mil (0.635mm), 30mil (0.762mm), 50mil (1.270mm), 60mil (1.524mm), 75mil (1.905mm), 100mil (2.540mm), 125mil (3.175mm) etc.
PWB-Größe:≤400mm X 500mm
Lötmittelmaske:Grünes, schwarzes, blaues, gelbes, rotes etc.
Oberflächenende:Bloßes Kupfer, HASL, ENIG, Immersionszinn, OSP.

 
Hauptanwendungen sind, wie folgt:
Chipprüfgeräte
Dielektrische Polarisatoren und Linsen
Filter und Koppler
Antennen der globalen Positionsbestimmungssysteme
Flecken-Antennen
Endverstärker und Kombinatoren
Rf- und Mikrowellenschaltkreis
Verbindung- über Satellitsysteme

 
 
 

Leistungsblatt von TMM4

TMMY-Art Wert
Eigentum　TMM4RichtungEinheitenBedingungPrüfmethode
Dielektrizitätskonstante, εProcess4.5±0.045Z　10 GigahertzIPC-TM-650 2.5.5.5
Dielektrizitätskonstante, εDesign4,7--8GHz zu 40 GigahertzDifferenziale Phasen-Längen-Methode
Verlustfaktor (Prozess)0,002Z-10 GigahertzIPC-TM-650 2.5.5.5
Thermischer Koeffizient der Dielektrizitätskonstante+15-ppm/°K-55℃-125℃IPC-TM-650 2.5.5.5
Isolationswiderstand>2000-GohmC/96/60/95ASTM D257
Spezifischer Durchgangswiderstand6 x 108-Mohm.cm-ASTM D257
Oberflächenwiderstandskraft1 x 109-Mohm-ASTM D257
Elektrische Stärke (Durchschlagsfestigkeit)371ZV/mil-IPC-TM-650 Methode 2.5.6.2
Thermische Eigenschaften
Decompositioin-Temperatur (TD)425425℃TGA-ASTM D3850
Ausdehnungskoeffizient - x16Xppm/K℃ 0 bis 140ASTM E 831 IPC-TM-650, 2.4.41
Ausdehnungskoeffizient - Y16Yppm/K℃ 0 bis 140ASTM E 831 IPC-TM-650, 2.4.41
Ausdehnungskoeffizient - Z21Zppm/K℃ 0 bis 140ASTM E 831 IPC-TM-650, 2.4.41
Wärmeleitfähigkeit0,7ZW/m/K℃ 80ASTM C518
Mechanische Eigenschaften
Kupferne Schälfestigkeit nach Wärmebelastung5,7 (1,0)X, Ylb/inch (N/mm)nach Lötmittelfloss 1 Unze. EDCIPC-TM-650 Methode 2.4.8
Biegefestigkeit (MD/CMD)15,91X, YkpsiASTM D790
Flexural Modul (MD/CMD)1,76X, YMpsiASTM D790
Physikalische Eigenschaften
Feuchtigkeitsaufnahme (2X2)1.27mm (0,050")0,07-%D/24/23ASTM D570
3.18mm (0,125")0,18
Dichte2,07--ASTM D792
Spezifische Wärmekapazität0,83-J/g/KBerechnet
Bleifreier Prozess kompatibelJA----

 
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Stichworte: 

high speed pcb,  

high frequency circuit design

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Zertifizierung
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Modellnummer
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TMM4
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1,6 mm ± 10 %
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1 Unze
Oberflächenende:
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Grün
Farbe der Teillegende:
weiß
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TMM4 basiert auf thermoset Harzen und erweicht nicht, wenn es erhitzt wird. Infolgedessen führt Drahtanschluss von Teil zu Leiterzüge kann ohne die Interessen der Auflage anhebend oder Substratdeformation durchgeführt werden.
 
Unsere Fähigkeit (TMM4)

PWB-Material:Zusammensetzung von keramischem, von Kohlenwasserstoff und von thermoset Polymer
Designator:TMM4
Dielektrizitätskonstante:4,5 ±0.045 (Prozess); 4,7 (Entwurf)
Schichtzählung:1 Schicht, 2 Schicht
Kupfernes Gewicht:0.5oz (17 µm), 1oz (35µm), 2oz (70µm)
PWB-Stärke:15mil (0.381mm), 20mil (0.508mm), 25mil (0.635mm), 30mil (0.762mm), 50mil (1.270mm), 60mil (1.524mm), 75mil (1.905mm), 100mil (2.540mm), 125mil (3.175mm) etc.
PWB-Größe:≤400mm X 500mm
Lötmittelmaske:Grünes, schwarzes, blaues, gelbes, rotes etc.
Oberflächenende:Bloßes Kupfer, HASL, ENIG, Immersionszinn, OSP.

 
Hauptanwendungen sind, wie folgt:
Chipprüfgeräte
Dielektrische Polarisatoren und Linsen
Filter und Koppler
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Flecken-Antennen
Endverstärker und Kombinatoren
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Verbindung- über Satellitsysteme

 
 
 

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TMMY-Art Wert
Eigentum　TMM4RichtungEinheitenBedingungPrüfmethode
Dielektrizitätskonstante, εProcess4.5±0.045Z　10 GigahertzIPC-TM-650 2.5.5.5
Dielektrizitätskonstante, εDesign4,7--8GHz zu 40 GigahertzDifferenziale Phasen-Längen-Methode
Verlustfaktor (Prozess)0,002Z-10 GigahertzIPC-TM-650 2.5.5.5
Thermischer Koeffizient der Dielektrizitätskonstante+15-ppm/°K-55℃-125℃IPC-TM-650 2.5.5.5
Isolationswiderstand>2000-GohmC/96/60/95ASTM D257
Spezifischer Durchgangswiderstand6 x 108-Mohm.cm-ASTM D257
Oberflächenwiderstandskraft1 x 109-Mohm-ASTM D257
Elektrische Stärke (Durchschlagsfestigkeit)371ZV/mil-IPC-TM-650 Methode 2.5.6.2
Thermische Eigenschaften
Decompositioin-Temperatur (TD)425425℃TGA-ASTM D3850
Ausdehnungskoeffizient - x16Xppm/K℃ 0 bis 140ASTM E 831 IPC-TM-650, 2.4.41
Ausdehnungskoeffizient - Y16Yppm/K℃ 0 bis 140ASTM E 831 IPC-TM-650, 2.4.41
Ausdehnungskoeffizient - Z21Zppm/K℃ 0 bis 140ASTM E 831 IPC-TM-650, 2.4.41
Wärmeleitfähigkeit0,7ZW/m/K℃ 80ASTM C518
Mechanische Eigenschaften
Kupferne Schälfestigkeit nach Wärmebelastung5,7 (1,0)X, Ylb/inch (N/mm)nach Lötmittelfloss 1 Unze. EDCIPC-TM-650 Methode 2.4.8
Biegefestigkeit (MD/CMD)15,91X, YkpsiASTM D790
Flexural Modul (MD/CMD)1,76X, YMpsiASTM D790
Physikalische Eigenschaften
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